STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 103-2012
- Herst. Teile-Nr.:
- STH3N150-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 103-2012
- Herst. Teile-Nr.:
- STH3N150-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1500V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.8 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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