onsemi NTD25P03L Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 25 A 75 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 103-5122
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD25P03LT4G
- Marke:
- onsemi
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- 103-5122
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD25P03LT4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NTD25P03L | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NTD25P03L | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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