Nexperia BSS123 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 150 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 103-8117
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123,215
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.063 | CHF.182.70 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.063 | CHF.173.25 |
| 15000 - 27000 | CHF.0.053 | CHF.163.80 |
| 30000 - 57000 | CHF.0.053 | CHF.151.20 |
| 60000 + | CHF.0.053 | CHF.148.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 103-8117
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | BSS123 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie BSS123 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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