Nexperia BSS123,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 150 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 792-0885
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123,215
- Marke:
- Nexperia
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600 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
9900 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 100)
CHF.0.137
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 100 - 100 | CHF.0.137 | CHF.13.335 |
| 200 - 400 | CHF.0.105 | CHF.10.29 |
| 500 - 900 | CHF.0.084 | CHF.7.98 |
| 1000 - 1900 | CHF.0.074 | CHF.7.665 |
| 2000 + | CHF.0.074 | CHF.7.14 |
| *Bitte VPE beachten | ||
Verpackungsoptionen:
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123,215
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 250 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3mm |
| Breite | 1.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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| 100 - 100 | CHF.0.137 | CHF.13.335 |
| 200 - 400 | CHF.0.105 | CHF.10.29 |
| 500 - 900 | CHF.0.084 | CHF.7.98 |
| 1000 - 1900 | CHF.0.074 | CHF.7.665 |
| 2000 + | CHF.0.074 | CHF.7.14 |
| *Bitte VPE beachten | ||
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