onsemi NTGS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 1.4 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 121-6303
- Herst. Teile-Nr.:
- NTGS5120PT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 121-6303
- Herst. Teile-Nr.:
- NTGS5120PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTGS | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 142mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTGS | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 142mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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