onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-1458
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH041N60F
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.186.18
Begrenzter Lagerbestand
- 420 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | CHF.6.206 | CHF.186.26 |
| 150 - 270 | CHF.5.387 | CHF.161.66 |
| 300 + | CHF.5.145 | CHF.154.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1458
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH041N60F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 595W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 277nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperFET II | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 595W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 277nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.82 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SUPERFET V N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 57 A, 3-Pin TO-247
- onsemi SUPERFET V N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 39 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
