onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 18 A 38.5 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.77.70

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 200CHF.1.554CHF.77.86
250 - 450CHF.1.355CHF.67.57
500 +CHF.1.323CHF.65.89

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-1750
Herst. Teile-Nr.:
FDPF18N50
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

UniFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

265mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

38.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.16mm

Höhe

9.19mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links