Nexperia BSH108,215 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 830 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 124-2287
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Technische Daten |
|---|
Channel-Typ:N |
Dauer-Drainstrom max.:1,9 A |
Drain-Source-Spannung max.:30 V |
Gehäusegröße:SOT-23 |
Montage-Typ:SMD |
Datenblätter anzeigen |
72000 Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF.0.116
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 + | CHF.0.116 | CHF.359.10 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 124-2287
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 120 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,4 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
| Höhe | 1mm |