- RS Best.-Nr.:
- 124-2287
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Technische Daten |
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Channel-Typ:N |
Dauer-Drainstrom max.:1,9 A |
Drain-Source-Spannung max.:30 V |
Gehäusegröße:SOT-23 |
Montage-Typ:SMD |
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF.0.116
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 + | CHF.0.116 | CHF.359.10 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 124-2287
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,9 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 120 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 830 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,4 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 1.4mm |
Länge | 3mm |
Betriebstemperatur min. | –65 °C |
Höhe | 1mm |