ROHM RUR020N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 124-6841
- Herst. Teile-Nr.:
- RUR020N02TL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.5.80
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF 0.232 | CHF 5.76 |
| 125 - 225 | CHF 0.202 | CHF 4.93 |
| 250 - 600 | CHF 0.172 | CHF 4.24 |
| 625 - 1225 | CHF 0.141 | CHF 3.62 |
| 1250 + | CHF 0.131 | CHF 3.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-6841
- Herst. Teile-Nr.:
- RUR020N02TL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | RUR020N02 | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie RUR020N02 | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Verwandte Links
- ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8
- ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM QH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
- ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 1.0 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RUR040N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT
- ROHM RQ5E035BN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1 W, 3-Pin TSMT
- ROHM QS8 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8