ROHM RUR020N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 1 W, 3-Pin RUR020N02TL TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 124-6841
- Herst. Teile-Nr.:
- RUR020N02TL
- Marke:
- ROHM
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- RUR020N02TL
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | RUR020N02 | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie RUR020N02 | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.8 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
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