ROHM RUR040N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
826-7813
Herst. Teile-Nr.:
RUR040N02TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

RUR040N02

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Länge

2.9mm

Breite

1.6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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