ROHM RUR040N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 826-7813
- Herst. Teile-Nr.:
- RUR040N02TL
- Marke:
- ROHM
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- RUR040N02TL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | RUR040N02 | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie RUR040N02 | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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