Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-9005
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4115PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 69.20
- 650 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.384 | CHF 69.19 |
| 100 - 200 | CHF 1.162 | CHF 58.13 |
| 250 + | CHF 1.121 | CHF 56.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9005
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4115PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 104A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 77nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 104A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 77nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 104 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4115PBF
Merkmale und Vorteile:
• 104 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger RDS(on) von 11 mΩ minimiert Leitungsverluste bei hohem Strom
• Die Verlustleistung von 380 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 77 nC ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1,3 V reduziert den Leitungsspannungsabfall der Diode
Anwendungsbereiche
• Ideal für 150 V 104 A MOSFETs für Schaltnetzteile
• Wird mit leistungsstarken N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET-Schaltungen verwendet
• Kann für TO-220-Durchsteck-MOSFET-Leistungsstufen mit 380 W verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Welche Befestigungs- und Pinanzahl-Bedenken gelten?
Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 380 A 380 W, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 105 A 380 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 340 A 380 W TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 51 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V 380 W, 7-Pin TO-263-7
