Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 51 A, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.9.715

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 680 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.1.943CHF.9.70
25 - 45CHF.1.743CHF.8.74
50 - 120CHF.1.628CHF.8.15
125 - 245CHF.1.512CHF.7.57
250 +CHF.1.418CHF.7.08

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6748
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-672
Herst. Teile-Nr.:
IRFB52N15DPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Es ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern und Plasma-Anzeigetafeln geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

Verwandte Links