Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 51 A, 3-Pin IRFB52N15DPBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.13.44

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 715 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.2.688CHF.13.43
25 - 45CHF.2.415CHF.12.10
50 - 120CHF.2.258CHF.11.28
125 - 245CHF.2.09CHF.10.47
250 +CHF.1.964CHF.9.81

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6748
Herst. Teile-Nr.:
IRFB52N15DPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-41-672

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Es ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern und Plasma-Anzeigetafeln geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

Verwandte Links