Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 85 A 350 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
178-1416
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4321PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

85A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

350W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.82 mm

Höhe

9.02mm

Länge

10.66mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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