Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 85 A 350 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 495-568
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4321PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 495-568
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- IRFB4321PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Breite | 4.82mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.66mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.02mm | ||
Breite 4.82mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.66mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 85 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4321PBF
Dieser MOSFET ist ein Durchsteck-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Es handelt sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das in einem TO-220-Gehäuse für eine einfache Leiterplattenmontage geliefert wird. Die Komponente unterstützt breite Betriebstemperaturen, die für industrielle Umgebungen geeignet sind, und entspricht der RoHS-Richtlinie.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Verlustleistung von 350 W ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• 15 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• 71 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelle Schaltsteuerung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C hält rauen Umgebungen stand
• 15 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• 71 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelle Schaltsteuerung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C hält rauen Umgebungen stand
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstromversorgungs-Ausgangsstufen
• Ideal für Schaltelemente für Motorantriebe
• Einsatz mit Kühlkörper-Reglern in industriellen Systemen
• Kann zum Schalten von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet zum Austausch von Durchgangsbohrungen in älteren Leiterplatten
• Ideal für Schaltelemente für Motorantriebe
• Einsatz mit Kühlkörper-Reglern in industriellen Systemen
• Kann zum Schalten von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet zum Austausch von Durchgangsbohrungen in älteren Leiterplatten
Welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage und die Kühlung vorgesehen ist.
Welche Art von Kanal und Schaltmodus wird verwendet?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für schnelles Schalten in Stromkreisen ausgelegt ist.
Was sind die Grenzwerte für Gate- und Drain-Spannungen?
Das Gate kann bis zu 30 V betrieben werden und die Drain-Source-Spannung kann 150 V erreichen.
Wie viel Dauerstrom kann er verarbeiten und wie hoch ist die Wärmekapazität?
Er unterstützt einen kontinuierlichen Ablassstrom von 85 A mit einer maximalen Verlustleistung von 350 W.
Gibt es für die Verwendung Umwelt- oder Zulassungsaspekte?
Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.
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