Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640NPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
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| 50 - 50 | CHF.0.588 | CHF.29.30 |
| 100 - 200 | CHF.0.462 | CHF.23.15 |
| 250 - 450 | CHF.0.431 | CHF.21.68 |
| 500 - 1200 | CHF.0.399 | CHF.20.21 |
| 1250 + | CHF.0.378 | CHF.18.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69 mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69 mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 150W maximale Verlustleistung - IRF640NPBF
Dieser MOSFET ist für hocheffiziente Schaltanwendungen vorgesehen und bietet eine zuverlässige Lösung für verschiedene elektronische Systeme. Seine N-Kanal-Konfiguration sorgt für einen minimalen On-Widerstand und hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich für das Power-Management in industriellen und kommerziellen Umgebungen eignet. Dieses Bauteil wurde speziell für Anwender in der Automatisierungs- und Elektrobranche entwickelt und gewährleistet eine optimale Leistung in ihren Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierlicher Ableitstrom von bis zu 18 A für robuste Leistungsaufnahme
• Effektiver Betrieb bei Spannungen bis zu 200 V für mehr Vielseitigkeit
• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Energieverlust während des Betriebs
• Vereinfachte Antriebsanforderungen erleichtern die Integration in Schaltungen
• Voller Lawinenschutz für mehr Sicherheit und Leistung
Anwendungsbereich
• Verwendet in Stromversorgungsschaltungen für die industrielle Automatisierung
• Geeignet für Motorsteuerung in der Robotik
• Ideal für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien wie z. B. Solarwechselrichter
• Eingesetzt in Leistungsschaltsystemen für elektrische Geräte
• Verwendet in Verstärkerstufen für Audiogeräte
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?
Das Gerät funktioniert effizient bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und kann somit in verschiedenen thermischen Umgebungen eingesetzt werden, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.
Was ist die Bedeutung der maximalen Gate-Source-Spannung?
Der MOSFET unterstützt Gate-Source-Spannungspegel von ±20 V, was einen sicheren Betrieb gewährleistet und Schäden bei Schaltvorgängen verhindert.
Kann dieses Bauteil mit plötzlichen Spannungsspitzen umgehen?
Ja, er ist voll Avalanche-tauglich, d. h. er kann kurze Spannungsspitzen aushalten, was seine Leistung in anspruchsvollen Anwendungen erhöht.
Wie wirkt sich die On-Resistenz auf die Gesamteffizienz aus?
Der niedrige Durchlasswiderstand verringert die Verlustleistung im Betrieb erheblich und verbessert so die Energieeffizienz bei Power-Management-Anwendungen.
Ist es für die Oberflächenmontage geeignet?
Das TO-220AB-Gehäuse wurde speziell für die Durchsteckmontage entwickelt und gewährleistet eine effektive Wärmeableitung im Gegensatz zur Oberflächenmontage.
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