Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
541-0014
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-285
Herst. Teile-Nr.:
IRF640NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.69 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.77mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 150W maximale Verlustleistung - IRF640NPBF


Dieser MOSFET ist für hocheffiziente Schaltanwendungen vorgesehen und bietet eine zuverlässige Lösung für verschiedene elektronische Systeme. Seine N-Kanal-Konfiguration sorgt für einen minimalen On-Widerstand und hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich für das Power-Management in industriellen und kommerziellen Umgebungen eignet. Dieses Bauteil wurde speziell für Anwender in der Automatisierungs- und Elektrobranche entwickelt und gewährleistet eine optimale Leistung in ihren Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierlicher Ableitstrom von bis zu 18 A für robuste Leistungsaufnahme

• Effektiver Betrieb bei Spannungen bis zu 200 V für mehr Vielseitigkeit

• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Energieverlust während des Betriebs

• Vereinfachte Antriebsanforderungen erleichtern die Integration in Schaltungen

• Voller Lawinenschutz für mehr Sicherheit und Leistung

Anwendungsbereich


• Verwendet in Stromversorgungsschaltungen für die industrielle Automatisierung

• Geeignet für Motorsteuerung in der Robotik

• Ideal für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien wie z. B. Solarwechselrichter

• Eingesetzt in Leistungsschaltsystemen für elektrische Geräte

• Verwendet in Verstärkerstufen für Audiogeräte

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?


Das Gerät funktioniert effizient bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und kann somit in verschiedenen thermischen Umgebungen eingesetzt werden, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.

Was ist die Bedeutung der maximalen Gate-Source-Spannung?


Der MOSFET unterstützt Gate-Source-Spannungspegel von ±20 V, was einen sicheren Betrieb gewährleistet und Schäden bei Schaltvorgängen verhindert.

Kann dieses Bauteil mit plötzlichen Spannungsspitzen umgehen?


Ja, er ist voll Avalanche-tauglich, d. h. er kann kurze Spannungsspitzen aushalten, was seine Leistung in anspruchsvollen Anwendungen erhöht.

Wie wirkt sich die On-Resistenz auf die Gesamteffizienz aus?


Der niedrige Durchlasswiderstand verringert die Verlustleistung im Betrieb erheblich und verbessert so die Energieeffizienz bei Power-Management-Anwendungen.

Ist es für die Oberflächenmontage geeignet?


Das TO-220AB-Gehäuse wurde speziell für die Durchsteckmontage entwickelt und gewährleistet eine effektive Wärmeableitung im Gegensatz zur Oberflächenmontage.

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