Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-9025
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB3036PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.142.40
Vorübergehend ausverkauft
- 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 03. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 2.848 | CHF 142.41 |
| 100 - 200 | CHF 2.192 | CHF 109.69 |
| 250 + | CHF 2.05 | CHF 102.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9025
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB3036PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 91nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 270 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRLB3036PBF
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom- und verlustarme Schaltvorgänge in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Es handelt sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das für Anwendungen konzipiert ist, die einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom und eine robuste thermische Beständigkeit über einen breiten Umgebungsbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 2 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 270 A zur Bewältigung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 380 W für Hochleistungs-Schaltvorgänge
• 60 V Drain-Source-Nennspannung für Systeme mit mittlerer Spannung
• Typische Gate-Ladung 91 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 270 A zur Bewältigung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 380 W für Hochleistungs-Schaltvorgänge
• 60 V Drain-Source-Nennspannung für Systeme mit mittlerer Spannung
• Typische Gate-Ladung 91 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Motorantriebsstufen in Industrieanlagen
• Ideal für Stromversorgungen und DC/DC-Wandler
• Wird bei Hochstromschaltungen im Batteriemanagement eingesetzt
• Kann für Wechselrichter-Ausgangsstufen in Mittelspannungssystemen verwendet werden
• Ideal für Stromversorgungen und DC/DC-Wandler
• Wird bei Hochstromschaltungen im Batteriemanagement eingesetzt
• Kann für Wechselrichter-Ausgangsstufen in Mittelspannungssystemen verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Das Gerät darf ±16 V zwischen Gate und Quelle nicht überschreiten, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Wie wirkt sich der thermische Bereich auf den Einsatz aus?
Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen und bei erhöhten Anschlussszenarien.
Wie hoch ist die Durchlasscharakteristik, wenn die Gehäusediode leitet?
Die Durchlassspannung beträgt typischerweise 1,3 V während der Diodenleitung, was die Verlustberechnungen in synchronen oder Freilaufintervallen beeinflusst.
Welche Gehäuse- und Montageaspekte gelten für die Wärmeableitung?
Er wird im TO-220-Durchgangsbohrungsformat geliefert, das eine direkte Kühlkörperbefestigung für ein verbessertes Wärmemanagement ermöglicht.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 380 A 380 W, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 340 A 380 W TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V 380 W, 7-Pin TO-263-7
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-247