Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
688-7213
Distrelec-Artikelnummer:
304-43-458
Herst. Teile-Nr.:
IRLB3036PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.02mm

Breite

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 270 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRLB3036PBF


Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom- und verlustarme Schaltvorgänge in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Es handelt sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das für Anwendungen konzipiert ist, die einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom und eine robuste thermische Beständigkeit über einen breiten Umgebungsbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 2 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 270 A zur Bewältigung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 380 W für Hochleistungs-Schaltvorgänge
• 60 V Drain-Source-Nennspannung für Systeme mit mittlerer Spannung
• Typische Gate-Ladung 91 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Motorantriebsstufen in Industrieanlagen
• Ideal für Stromversorgungen und DC/DC-Wandler
• Wird bei Hochstromschaltungen im Batteriemanagement eingesetzt
• Kann für Wechselrichter-Ausgangsstufen in Mittelspannungssystemen verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?


Das Gerät darf ±16 V zwischen Gate und Quelle nicht überschreiten, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf den Einsatz aus?


Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen und bei erhöhten Anschlussszenarien.

Wie hoch ist die Durchlasscharakteristik, wenn die Gehäusediode leitet?


Die Durchlassspannung beträgt typischerweise 1,3 V während der Diodenleitung, was die Verlustberechnungen in synchronen oder Freilaufintervallen beeinflusst.

Welche Gehäuse- und Montageaspekte gelten für die Wärmeableitung?


Er wird im TO-220-Durchgangsbohrungsformat geliefert, das eine direkte Kühlkörperbefestigung für ein verbessertes Wärmemanagement ermöglicht.

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