Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 35 A 113.5 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 125-3453
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065100K
- Marke:
- Wolfspeed
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|---|---|
| 1 - 24 | CHF.20.43 |
| 25 - 74 | CHF.18.66 |
| 75 - 149 | CHF.18.14 |
| 150 + | CHF.17.72 |
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- RS Best.-Nr.:
- 125-3453
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065100K
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 19 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie C3M | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 19 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 23.6mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET aus Siliziumkarbid der C3M-Serie von Cree Inc.
MOSFET mit neuer C3M-Siliziumkarbid-Technologie (SiC)
Mindestens 1000 V Drain-Source-Durchschlagsspannung im gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
Kriechstrecke/Abstand zwischen Drain und Source: 8 mm
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Blockierspannung bei niedrigem Drain-Source-Durchlasswiderstand
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung
MOSFET-Transistoren, Cree Inc.
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