IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 125-8041
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-370
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN360N10T
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Serie | GigaMOS Trench HiperFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 525nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 38.23mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 25.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Serie GigaMOS Trench HiperFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 525nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 38.23mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 25.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
MOSFET-Transistoren, IXYS
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