IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 125-8041
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-370
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN360N10T
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.32.309
Auf Lager
- 5 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 24 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.32.31 |
| 2 - 4 | CHF.29.12 |
| 5 - 9 | CHF.27.77 |
| 10 - 19 | CHF.26.82 |
| 20 + | CHF.26.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-8041
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-370
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN360N10T
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | GigaMOS Trench HiperFET | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 525nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 38.23mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 25.07 mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie GigaMOS Trench HiperFET | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 525nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 38.23mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 25.07 mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 420 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 420 A 1.07 kW, 4-Pin IXFN420N10T SOT-227
- IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 310 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227
- IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 310 A 1.07 kW, 4-Pin IXFN360N15T2
- IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 110 A 1.17 kW, 4-Pin SOT-227