IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 70 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
- RS Best.-Nr.:
- 125-8045
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-392
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFR140N30P
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.25.032
Auf Lager
- 12 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.25.03 |
| 2 - 4 | CHF.24.29 |
| 5 - 9 | CHF.23.50 |
| 10 - 14 | CHF.22.52 |
| 15 + | CHF.22.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-8045
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-392
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFR140N30P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Gehäusegröße | ISOPLUS247 | |
| Serie | Polar HiPerFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 185nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.34mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Gehäusegröße ISOPLUS247 | ||
Serie Polar HiPerFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 185nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.34mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 70 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS Einfach HiperFET, Polar Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 14 A 300 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 300 W, 3-Pin TO-220
- IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin IXFN200N10P SOT-227
- IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 25 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 25 A 300 W, 3-Pin IXFR44N80P ISOPLUS247
- IXYS PolarHVTM HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin IXFL100N50P
