IXYS Einfach HiperFET, Polar N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 14 A 300 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
168-4483
Herst. Teile-Nr.:
IXFH14N60P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

550mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.3mm

Länge

16.26mm

Höhe

21.46mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.