Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin IRFS3006TRL7PP TO-263

RS Best.-Nr.:: 130-0993
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3006TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin IRFS3006TRL7PP TO-263

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RS Best.-Nr.:: 130-0993
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3006TRL7PP
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	293A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	200nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.65mm
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 293A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.65mm
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

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