Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 133-9881
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC009NE2LS5IATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC009NE2LS5IATMA1
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.62V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21 | |
| Länge | 5.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.62V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21 | ||
Länge 5.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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