Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 45.5 A 25 W, 8-Pin SIRA88DP-T1-GE3 SO-8

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134-9696
Herst. Teile-Nr.:
SIRA88DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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