Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 45.5 A 25 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 134-9696
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA88DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
250 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 2.50 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF 15.40
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. Dezember 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF 0.616 | CHF 15.45 | - |
| 250 - 600 | CHF 0.606 | CHF 15.07 | CHF 2.50 |
| 625 - 1225 | CHF 0.586 | CHF 14.70 | CHF 18.75 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.576 | CHF 14.29 | CHF 50.00 |
| 2500 + | CHF 0.556 | CHF 13.99 | CHF 150.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 134-9696
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA88DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.26mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.26mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 45.5 A 25 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13.1 A, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.3 A 5 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 62.5 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 31.2 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18.7 A 7.4 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 335 A 104 W, 8-Pin SO-8