Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18.7 A 7.4 W, 8-Pin Si4090BDY-T1-GE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
Si4090BDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

7.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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