Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 62.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 787-9373
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA06DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.5.095
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.019 | CHF.5.09 |
| 50 - 245 | CHF.0.861 | CHF.4.33 |
| 250 - 495 | CHF.0.714 | CHF.3.57 |
| 500 - 1245 | CHF.0.672 | CHF.3.35 |
| 1250 + | CHF.0.63 | CHF.3.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9373
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA06DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.73V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.73V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.26 mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 62.5 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 62.5 W, 8-Pin SI7116BDN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.2 A 2.7 W, 8-Pin SI4447ADY-T1-GE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.9 A 3.2 W, 8-Pin SI4825DDY-T1-GE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 36 A 5 W, 8-Pin SI4497DY-T1-GE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19.7 A 3.6 W, 8-Pin SI4425DDY-T1-GE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 29 A 5 W, 8-Pin SI4459ADY-T1-GE3 SO-8