Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin SI3493DDV-T1-GE3 TSOP

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Herst. Teile-Nr.:
SI3493DDV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

51mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Höhe

1mm

Breite

1.7 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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