Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 134-9713
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.3.80
Vorübergehend ausverkauft
- 1'950 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.152 | CHF.3.84 |
| 250 - 600 | CHF.0.141 | CHF.3.64 |
| 625 - 1225 | CHF.0.131 | CHF.3.28 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.121 | CHF.3.08 |
| 2500 + | CHF.0.111 | CHF.2.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 134-9713
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 51mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 51mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8 A 4.2 W, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.7 W, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 5.4 A 4.2 W, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19.7 A 3.6 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 2.3 A 1.4 W, 6-Pin TSOP
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.9 A 1.4 W, 6-Pin TSOP