onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 145-4402
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH041N60E
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.206.01
Lieferengpass
- 420 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.6.867 | CHF.205.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4402
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH041N60E
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 592W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 285nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperFET II | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 592W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 285nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SUPERFET V N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 57 A, 3-Pin TO-247
- onsemi SUPERFET V N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 39 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 37 A 357 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi SUPERFET III N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A, 4-Pin TO-247-4
