onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 43 W, 3-Pin FQPF19N20C TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-4534
- Herst. Teile-Nr.:
- FQPF19N20C
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.50.40
Auf Lager
- 550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.008 | CHF.50.61 |
| 100 + | CHF.0.956 | CHF.47.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4534
- Herst. Teile-Nr.:
- FQPF19N20C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.19mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.16mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie QFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.19mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.16mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET QFET®, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 19 A 120 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,2 A 45 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,4 A 38 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A 35 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 68 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 53 A 62 W, 3-Pin TO-220F
