onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 43 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 671-5247
Herst. Teile-Nr.:: FQPF19N20C
Marke:: onsemi

onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 43 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 671-5247
Herst. Teile-Nr.:: FQPF19N20C
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	QFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	170mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Verlustleistung Pd	43W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	40.5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.7 mm
	Höhe	9.19mm
	Länge	10.16mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie QFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Verlustleistung Pd 43W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40.5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.7 mm
	Höhe 9.19mm
	Länge 10.16mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor

Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 43 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal-MOSFET QFET®, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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