onsemi PowerTrench N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 33.3 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF085N10A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF 1.757 | CHF 88.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4594
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF085N10A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 16.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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