Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 145-8936
Herst. Teile-Nr.:: IRLZ34NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.428.80

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	CHF.0.536	CHF.429.24
1600 - 1600	CHF.0.515	CHF.408.24
2400 +	CHF.0.483	CHF.382.20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 145-8936
Herst. Teile-Nr.:: IRLZ34NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Maximale Verlustleistung Pd	68W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	11.3 mm
	Länge	10.67mm
	Höhe	4.83mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Maximale Verlustleistung Pd 68W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 11.3 mm
	Länge 10.67mm
	Höhe 4.83mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLZ34NSTRLPBF

Dieser leistungsstarke N-Kanal-MOSFET ermöglicht effizientes Schalten und Verstärken in verschiedenen elektrischen Anwendungen. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 30 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V eignet er sich für Anwendungen in der Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik. Sein oberflächenmontierbares Design vereinfacht die Integration in moderne Leiterplatten und macht ihn zu einer Schlüsselkomponente für effektives Power Management.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedrige Gate-Schwellenspannung für erhöhte Schaltgeschwindigkeit

• Niedriger RDS(on) für effiziente Verlustleistung

• Hohe thermische Beständigkeit ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen

• Maximale Verlustleistung von 68 W trägt zur Langlebigkeit bei

• Oberflächenmontagetechnologie unterstützt kompakte Designs

• Effizienter Antrieb mit hoher Gate-Ladung bei 5 V

Anwendungsbereich

• Stromversorgungsschaltungen für eine effektive Spannungsregelung

• Motorsteuerung die ein schnelles Umschalten erfordern

• DC-DC-Wandler für verbesserte Effizienz

• Präzisionsinstrumente für verlässliche Leistung

• Automobilindustrie mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den dieses Bauteil verarbeiten kann?

Der Baustein kann einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 30 A verarbeiten.

Wie wird die thermische Leistung dieses MOSFETs gesteuert?

Er arbeitet bei einer Höchsttemperatur von +175 °C und ist damit auch in Hochtemperaturumgebungen zuverlässig.

Kann es im Automobilbereich eingesetzt werden?

Ja, durch seine robuste Bauweise und hohe Temperaturtoleranz eignet er sich für verschiedene Schaltkreise im Automobilbereich.

Welche Art von Schaltungskonfigurationen kann er unterstützen?

Der MOSFET unterstützt Transistorkonfigurationen im Anreicherungsmodus, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Ist sie mit oberflächenmontierten Schaltkreisen kompatibel?

Ja, der Gehäusetyp D2PAK (TO-263) ermöglicht eine einfache Integration in oberflächenmontierte Anwendungen und erleichtert die einfache Platzierung auf Leiterplatten.