Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin IPP052N06L3GXKSA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-9265
Herst. Teile-Nr.:
IPP052N06L3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.95mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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