Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin IPP072N10N3GXKSA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
754-5480
Herst. Teile-Nr.:
IPP072N10N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

4.57mm

Breite

15.95 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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