Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 94 W, 3-Pin IPP039N04LGXKSA1 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-8156
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP039N04LGXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-8156
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP039N04LGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.92V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.572 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.92V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.572 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
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MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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