Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 857-6842
Herst. Teile-Nr.:: IPP052N06L3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 857-6842
Herst. Teile-Nr.:: IPP052N06L3GXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	115W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	37nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.36mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.57 mm
	Höhe	15.95mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 115W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.36mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.57 mm
	Höhe 15.95mm
	Automobilstandard Nein

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