Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 300 W, 3-Pin IPP80N08S2L07AKSA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-9275
Herst. Teile-Nr.:
IPP80N08S2L07AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

183nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.95mm

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

grünen Paket (bleifrei)

Extrem niedriger RDS(on)

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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