IXYS Einfach X2-Class Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 12 A 180 W,

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RS Best.-Nr.:
146-1786
Herst. Teile-Nr.:
IXTH12N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

X2-Class

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

180W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

21.45 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.3mm

Länge

16.24mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS X2-Class


Die IXYS-Leistungs-MOSFET-Serie der Klasse X2 bietet im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs eine erheblich reduzierte Widerstands- und Gate-Ladung, was zu geringeren Verlusten und höherer Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte verfügen über eine intrinsische Diode und eignen sich sowohl für Anwendungen mit hartem Schalt- als auch mit Resonanzmodus. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Vielzahl von Industriestandard-Gehäusen erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennwerten von bis zu 120 A bei 650 V. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Schneider, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)

Eigene Gleichrichterdiode

Geringer intrinsischer Gate-Widerstand

Geringe Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach Industriestandard

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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