IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 917-1457
Herst. Teile-Nr.:: IXTH12N65X2
Marke:: IXYS

IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.9.198

Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.4.599	CHF.9.20
10 - 28	CHF.3.297	CHF.6.59
30 - 118	CHF.3.245	CHF.6.49
120 - 238	CHF.3.192	CHF.6.38
240 +	CHF.3.045	CHF.6.09

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 917-1457
Herst. Teile-Nr.:: IXTH12N65X2
Marke:: IXYS

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	12 A
	Drain-Source-Spannung max.	650 V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	X2-Class
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
	Verlustleistung max.	180 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	17,7 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	16.24mm
	Breite	21.45mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.4V
	Höhe	5.3mm

	Alle auswählen
	Marke IXYS
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 12 A
	Drain-Source-Spannung max. 650 V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie X2-Class
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 300 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 2.5V
	Verlustleistung max. 180 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 17,7 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 16.24mm
	Breite 21.45mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.4V
	Höhe 5.3mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS

Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Intrinsic-Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS

Verwandte Links