IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 146-4372
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-331
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH60N65X2
- Marke:
- IXYS
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- 302-53-331
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- IXFH60N65X2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | HiperFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 108nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 780W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.34mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie HiperFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 780W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.34mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Niedriger R- und Q-Wert
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Vorteile
Hohe Leistungsdichte
Einfache Montage
Platzsparend
Anwendungsbereich
Schalt- und Resonanznetzteile
DC/DC-Wandler
PFC-Stromkreise
Gleich- und Wechselstrom-Motorantriebe
Robotik und Servosteuerung
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