Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 22 A 83 W, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 150-3947
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120100J
- Marke:
- Wolfspeed
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- RS Best.-Nr.:
- 150-3947
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120100J
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.23mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.32mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie C3M | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.23mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.32mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsbauelementtechnologie mit dem branchenweit einzigen 1kV-SiC-MOSFET in einem neu optimierten Gehäuse vor, das für schnelle Schaltgeräte geeignet ist. Das neue 1-kV-Gerät wurde optimiert für Ladesysteme von Elektrofahrzeugen und dreiphasige industrielle Stromversorgungen und löst viele Herausforderungen beim Stromversorgungsdesign, indem es ein einzigartiges Gerät mit niedrigem Einschaltwiderstand, sehr geringer Ausgangskapazität und niedriger Quelleninduktivität bereitstellt – für eine perfekte Mischung aus niedrigen Schaltverlusten und niedrigen Leitungsverlusten.
Mindestens 1 kV Spannungsausfall über den gesamten BetriebstemperaturbereichGehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem TreiberquellenpolHohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger AusgangskapazitätHohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
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