Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 22 A 83 W, 8-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.596.90

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 650 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 100CHF.11.938CHF.597.01
150 - 200CHF.11.474CHF.573.73
250 +CHF.11.201CHF.560.00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
150-3947
Herst. Teile-Nr.:
C3M0120100J
Marke:
Wolfspeed
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Wolfspeed

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Serie

C3M

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Durchlassspannung Vf

4.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

9 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.23mm

Breite

9.12 mm

Höhe

4.32mm

Automobilstandard

Nein

Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsbauelementtechnologie mit dem branchenweit einzigen 1kV-SiC-MOSFET in einem neu optimierten Gehäuse vor, das für schnelle Schaltgeräte geeignet ist. Das neue 1-kV-Gerät wurde optimiert für Ladesysteme von Elektrofahrzeugen und dreiphasige industrielle Stromversorgungen und löst viele Herausforderungen beim Stromversorgungsdesign, indem es ein einzigartiges Gerät mit niedrigem Einschaltwiderstand, sehr geringer Ausgangskapazität und niedriger Quelleninduktivität bereitstellt – für eine perfekte Mischung aus niedrigen Schaltverlusten und niedrigen Leitungsverlusten.

Mindestens 1 kV Spannungsausfall über den gesamten BetriebstemperaturbereichGehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem TreiberquellenpolHohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger AusgangskapazitätHohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben

Verwandte Links