Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.5 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 151-3075
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV25ENEAR
- Marke:
- Nexperia
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.94W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.94W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.
AEC-Q101-konformVerfügt über Repetitive-Avalanche-RatingGeeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund einer Nenntemperatur von 175 °C
N-Kanal-Trench-MOSFET (30 V), N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
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