Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 170-5372
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.294 | CHF.7.46 |
| 250 - 600 | CHF.0.137 | CHF.3.31 |
| 625 - 1225 | CHF.0.126 | CHF.3.26 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.126 | CHF.3.15 |
| 2500 + | CHF.0.126 | CHF.3.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-5372
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PMV20XNE | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.94W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PMV20XNE | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.94W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.
N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Niedrige Schwellenspannung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM
Anwendungsbereiche
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
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