Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 170-4865
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.423.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.141 | CHF.424.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-4865
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PMV20XNE | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.94W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PMV20XNE | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.94W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.
N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Niedrige Schwellenspannung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM
Anwendungsbereiche
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
Verwandte Links
- Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.5 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.3 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV16XN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8.6 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.5 A 1.45 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -3.3 A 6.25 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.7 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23