onsemi ECH8310 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 1.5 W, 8-Pin ECH

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
162-9318
Herst. Teile-Nr.:
ECH8310-TL-H
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

ECH8310

Gehäusegröße

ECH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Höhe

0.9mm

Breite

2.3 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links