onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.410.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 26. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.0.41CHF.408.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
163-0802
Herst. Teile-Nr.:
NVF3055L108T1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Durchlassspannung Vf

0.87V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.65mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links