onsemi 2N7002W N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 340 mA 330 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 163-0841
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002WT1G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 340mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7002W | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 880mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 340mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7002W | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 880mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 900μm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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