STMicroelectronics STI28 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin I2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 164-6960
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.974 | CHF.98.81 |
| 100 - 200 | CHF.1.922 | CHF.96.23 |
| 250 - 450 | CHF.1.88 | CHF.93.77 |
| 500 + | CHF.1.827 | CHF.91.40 |
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- RS Best.-Nr.:
- 164-6960
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Serie | STI28 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Serie STI28 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.6 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die mit der MDmesh™-M2-Technologie entwickelt wurden. Dank des Leistenlayouts und der verbesserten senkrechten Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf. Dadurch sind sie für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet.
Sehr geringe Gate-LadungProfil mit ausgezeichneter Ausgangskapazität (COSS)100%ig auf Stoßentladung geprüftZenerdioden-geschütztQg sehr niedrig für erhöhte EffizienzOptimierte Gate-Ladung und Kapazitätsprofile für Resonanzstromversorgung (LLC-Wandler)
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