STMicroelectronics STI28 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin I2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 164-6960
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.974 | CHF.98.81 |
| 100 - 200 | CHF.1.922 | CHF.96.23 |
| 250 - 450 | CHF.1.88 | CHF.93.77 |
| 500 + | CHF.1.827 | CHF.91.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 164-6960
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STI28 | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STI28 | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die mit der MDmesh™-M2-Technologie entwickelt wurden. Dank des Leistenlayouts und der verbesserten senkrechten Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf. Dadurch sind sie für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet.
Sehr geringe Gate-LadungProfil mit ausgezeichneter Ausgangskapazität (COSS)100%ig auf Stoßentladung geprüftZenerdioden-geschütztQg sehr niedrig für erhöhte EffizienzOptimierte Gate-Ladung und Kapazitätsprofile für Resonanzstromversorgung (LLC-Wandler)
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