Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

RS Best.-Nr.:: 650-3707
Herst. Teile-Nr.:: IRF5210LPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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5 - 20	CHF.2.667	CHF.13.36
25 - 45	CHF.2.405	CHF.12.02
50 - 120	CHF.2.247	CHF.11.23
125 - 245	CHF.2.09	CHF.10.43
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RS Best.-Nr.:: 650-3707
Herst. Teile-Nr.:: IRF5210LPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	38A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	I2PAK (TO-262)
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	10.54mm
	Normen/Zulassungen	Lead-Free
	Breite	4.69 mm
	Länge	10.54mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße I2PAK (TO-262)
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 10.54mm
	Normen/Zulassungen Lead-Free
	Breite 4.69 mm
	Länge 10.54mm
	Automobilstandard Nein

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