Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 650-3707
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5210LPBF
- Marke:
- Infineon
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- 650-3707
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- IRF5210LPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 10.54mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 10.54mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon
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